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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    bsm100gb120dn2k

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 100A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

规格书PDF

  • 芯片型号:

    BSM100GB120DN2K

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  • 原厂全称:

    Siemens Ltd

  • 原厂简称:

    SIEMENS

  • 页数:

    9

  • 文件大小:

    114 kb

  • 说明:

    IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)