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BSM200GB120DN2库存信息

更新时间:2021-12-09 13:02:00
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BSM200GB120DN2中文资料

功能描述:IGBT 模块 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

BSM200GB120DN2 PDF资料

型号: BSM200GB120DN2 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Siemens Ltd 原厂简称: SIEMENS
页数: 9 文件大小: 127 /kb
说明: IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)