BSM200GB120DN2库存信息
更新时间：2021-12-09 13:02:00- 型号
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BSM200GB120DN2中文资料
功能描述:IGBT 模块 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GB120DN2 PDF资料
| 型号： | BSM200GB120DN2 | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | Siemens Ltd | 原厂简称： | SIEMENS |
| 页数： | 9 | 文件大小： | 127 /kb |
| 说明： | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) | ||
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