-
- 品牌英飞凌
- 数量1000
- 批号19+/20+
- 封装模块
- 说明主打产品价格优惠.全新原装正品
-
- 品牌英飞凌
- 数量1000
- 批号21+
- 封装模块
- 说明主打产品价格优惠.全新原装正品
产品属性
- 类型
描述
- 型号
bsm25gd120dn2e
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 35A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM