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首页>IC芯片>MKI80-06T6K

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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    mki80-06t6k

  • 功能描述

    IGBT 模块 80 Amps 600V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

规格书PDF

  • 芯片型号：

    MKI80-06T6K

  • PDF资料下载：

    下载资料

  • 原厂全称：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 原厂简称：

    IXYS

  • 页数：

    5

  • 文件大小：

    225 kb

  • 说明：

    H-Bridge Trench IGBT

相关型号

IXYS Integrated Circuits Division

深圳市福田区华强北上步工业区501栋518

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